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近日，由中國(guó)電子科技集團(tuán)第二研究所(以下簡(jiǎn)稱“中國(guó)電科二所”)牽頭的國(guó)家重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃“高性能制造技術(shù)與重大裝備”項(xiàng)目“超薄界面異質(zhì)異構(gòu)晶圓鍵合關(guān)鍵技術(shù)與裝備”成功獲得科技部立項(xiàng)。該項(xiàng)目是中國(guó)電科二所搶占三代半導(dǎo)體器件國(guó)際創(chuàng)新制高點(diǎn)，在顛覆性技術(shù)領(lǐng)域下好先手棋、打好主動(dòng)仗的重大突破，是該所在高端半導(dǎo)體裝備領(lǐng)域繼續(xù)深耕的又一重要里程碑。

該項(xiàng)目由中國(guó)電科二所作為牽頭單位，聯(lián)合多所國(guó)內(nèi)高校、研究所及專業(yè)公司，以國(guó)家第三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新中心為紐帶，針對(duì)通信、新能源等領(lǐng)域?qū)π乱淮雽?dǎo)體器件迫切需求，研制超薄界面異質(zhì)異構(gòu)晶圓鍵合裝備，大幅度減小鍵合界面熱阻、提高互連鍵合精度，解決技術(shù)瓶頸、提升器件性能。

這是繼晶圓鍵合設(shè)備后在半導(dǎo)體裝備領(lǐng)域繼續(xù)深耕的又一重要節(jié)點(diǎn)。申報(bào)過(guò)程中，中國(guó)電科二所高度重視，科學(xué)合理組織職能部門(mén)和業(yè)務(wù)部門(mén)通力合作，認(rèn)真研究項(xiàng)目指南，仔細(xì)梳理已有基礎(chǔ)，再三推敲申報(bào)材料，最終在評(píng)審中脫穎而出，列入重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃項(xiàng)目支持。

為確保項(xiàng)目順利實(shí)施，該所將充分發(fā)揮科研和技術(shù)團(tuán)隊(duì)在晶圓鍵合設(shè)備研發(fā)、理論探索、數(shù)據(jù)分析、專家交流等方面的優(yōu)勢(shì)，促進(jìn)國(guó)內(nèi)復(fù)合襯底制備及先進(jìn)封裝領(lǐng)域“產(chǎn)學(xué)研”深度合作與交流，為國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)快速發(fā)展作出貢獻(xiàn)。